鍍膜室內分成三個區域:①以蒸發源為中心的蒸發區;②以感應線圈為中心的離化區;③以(yi)基(ji)體(ti)為(wei)中(zhong)心(xin)的(de)離(li)子(zi)加(jia)速(su)區(qu)和(he)離(li)子(zi)到(dao)達(da)區(qu)。通(tong)過(guo)分(fen)別(bie)調(tiao)節(jie)熱(re)發(fa)源(yuan)功(gong)率(lv)，感(gan)應(ying)線(xian)圈(quan)的(de)射(she)頻(pin)激(ji)勵(li)功(gong)率(lv)，基(ji)體(ti)偏(pian)壓(ya)等(deng)，可(ke)以(yi)對(dui)三(san)個(ge)區(qu)域(yu)進(jin)行(xing)獨(du)立(li)的(de)控(kong)製(zhi)，從(cong)而(er)有(you)效(xiao)地(di)控(kong)製(zhi)沉(chen)積(ji)過(guo)程(cheng).改善了鍍層的物性。
射頻離子鍍除了可以製備高質量的金屬薄膜外.還能鍍製化合物薄膜和合金薄膜。鍍化合物薄膜采用活性反應法。在反應離子鍍合成化合物薄膜和用多蒸發源配製合金膜時.精確調節蒸發源功率.控製物料的蒸發速率是十分重要的。
在感應線圈射頻激勵區中.電子在高頻電場作用下做振蕩運動.延長了電子到達陽極的路徑.增加了電子與反應氣體及金屬蒸氣碰掩的概率.這樣可提高放電電流密度。正是由於高頻電場的作用，使著火氣體壓強降低到10-3~10-1Pa，即叮在高真空中進行高頻放電.因而以電子束加熱蒸發源的射頻離子鍍.不必設置差壓板。
